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4斤是多少克,0.4斤是多少克 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来(lái)看一则突发消(xiāo)息。

  美光公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全(quán)审查

  据网信办消息,日前,网络安(ān)全审查办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司在(zài)华销售产品进行了(le)网络安(ān)全(quán)审查。

  审查发现,美光公司(sī)产品(pǐn)存在较严重网络安(ān)全(quán)问题隐患,对(duì)我国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全(quán)风(fēng)险,影响我国国(guó)家安全。为(wèi)此,网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规,我(wǒ)国(guó)内关键信息基础设施(shī)的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

  此次(cì)对美光(guāng)公司产品进行网络安全(quán)审查(chá),目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全(quán)问题危害国家关键信息基础设施安全,是维护国家安全(quán)的必要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对(duì)外(wài)开放(fàng),只要遵守中国法4斤是多少克,0.4斤是多少克(fǎ)律法(fǎ)规要求,欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

  半导(dǎo)体(tǐ)突发!中(zhōng)国出手:停止采(cǎi)购!

  3月(yuè)31日,中国网信网发文称,为保障关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施供应链安全(quán),防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险,维(wéi)护国家安全,依据《中华人民共和国(guó)国(guó)家安全(quán)法》《中华人民共和(hé)国网(wǎng)络安全法(fǎ)》,网(wǎng)络(luò)安全审查4斤是多少克,0.4斤是多少克办公(gōng)室按照《网络(luò)安(ān)全审查办法》,对(duì)美(měi)光公司(Micron)在华销售的(de)产品实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

  半(bàn)导体突(tū)发(fā)!中国出手:停止采购(gòu)!

  美光是美(měi)国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头,也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之一,2022年(nián)收入(rù)来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57%降至(zhì)2022年约(yuē)11%。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为 96.76%,三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM (内存)市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司中,江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司披(pī)露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

  美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降,至少已经不是(shì)主要大供应商(shāng)。

  公(gōng)告(gào)显示, 2021年美光位列江波(bō)龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应(yīng)商,采购约(yuē)31亿(yì)元,占(zhàn)比33.52%;2022年,江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三(sān)大供(gōng)应商采购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示,江波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部数据等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约,确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng),巩固公司在下(xià)游市场(chǎng)的供(gōng)应优(yōu)势,公司也与国(guó)内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

  有券商此(cǐ)前就分析,如果美光在中国区销售受到限制,或将导致(zhì)下游客(kè)户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对(duì)产(chǎn)品

  分析称,长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存储器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代,2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤,同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60:1的深孔,未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽,催(cuī)生更多设备需求。据(jù)东京电子披露,薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75%。自长江存储被加入美国限制名单,设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速,看好拓荆(jīng)科技(薄膜沉积(jī))等相关公(gōng)司份(fèn)额提升(shēng),以及存储业务占比较高的(de)华(huá)海清科(CMP)、盛(shèng)美上(shàng)海(清洗(xǐ))等收入增(zēng)长。

 

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